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JS-TRMOS60N040-200A

TR MOS芯片

60V 40A TR MOS芯片

8寸沟槽MOS芯片,低导通电阻高性能。

分类: TR MOS芯片

产品参数

产品名称 封装 漏源电压VDSS 漏极电流ID 导通电阻RDS(on) 晶圆尺寸
JS-TRMOS60N040-200A 60V 40A 8mΩ 8 inch

功能特性

  • RDS(on) 8mΩ
  • 8 inch

详细介绍

适用于同步整流、负载开关与电机驱动。

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