晶圆 - JSEMI

晶圆，共 25 条
产品	封装	最大重复峰值电压VRRM	平均正向电流IF(AV)	正向压降VF	晶圆尺寸	反向恢复时间trr	极性	峰值脉冲功率PPP	反向关断电压VRWM	PDF	操作
JS-TRMOS60N040-200A 60V 40A TR MOS芯片8寸沟槽MOS芯片，低导通电阻高性能。	—	—	—	—	8 inch	—	—	—	—	—	样品申请
JS-PSB275H100AS-290A 100V 275A PSBD平面肖特基芯片大电流平面肖特基芯片，参考扬杰 PSB275H100AS-290A 规格体系。	—	100V	275A	0.72V	—	—	—	—	—	—	样品申请
JS-PSB060L040SS-280D 60V 40A PSBD芯片低VF平面肖特基芯片，参考扬杰 PSB060L040SS-280D。	—	60V	40A	0.55V	—	—	—	—	—	—	样品申请
JS-TSB045L030TS-220A 45V 30A TSBD沟槽肖特基芯片6寸沟槽肖特基芯片，低VF高效率。	—	45V	30A	0.48V	6 inch	—	—	—	—	—	样品申请
JS-PSB100L060AS-260A 100V 60A PSBD芯片中功率平面肖特基芯片。	—	100V	60A	0.68V	—	—	—	—	—	—	样品申请
JS-TSB100L050TS-250B 100V 50A TSBD芯片中压大电流沟槽肖特基芯片。	—	100V	50A	0.62V	6 inch	—	—	—	—	—	样品申请
JS-FRED600H030-200A 600V 30A FRED快恢复芯片6寸超快恢复芯片，低trr适合高频应用。	—	600V	30A	1.5V	—	35ns	—	—	—	—	样品申请
JS-FRED8-600H025-8IN 8寸 600V FRED芯片8寸快恢复芯片，提升产能与一致性。	—	600V	25A	—	8 inch	40ns	—	—	—	—	样品申请
JS-STD1000H010-160A 1000V 10A STD整流芯片4寸标准整流芯片，适用于电源输入整流与通用整流应用。	—	1000V	10A	1.1V	4 inch	—	—	—	—	—	样品申请
JS-FRED1200H020-180B 1200V 20A FRED芯片高压快恢复芯片，服务新能源与工控。	—	1200V	20A	—	—	50ns	—	—	—	—	样品申请
JS-STD600H020-180A 600V 20A STD整流芯片大电流标准整流芯片，适合中功率整流应用。	—	600V	20A	1.0V	4 inch	—	—	—	—	—	样品申请
JS-LBD045L015-150A 45V 15A LBD低压势垒芯片超低正向压降势垒芯片，提升轻载效率。	—	45V	15A	0.42V	—	—	—	—	—	—	样品申请
JS-FRD600H015-170A 600V 15A FRD快恢复芯片快恢复整流芯片，适用于高频开关电源与PFC。	—	600V	15A	1.4V	—	50ns	—	—	—	—	样品申请
JS-PMB100H025-180A 100V 25A PMBD芯片平面中压势垒二极管芯片。	—	100V	25A	0.85V	—	—	—	—	—	—	样品申请
JS-EPI-4-N100 4英寸N型外延片高均匀性硅外延片，适用于功率器件制造。	—	—	—	—	4 inch	—	—	—	—	—	样品申请
JS-ESD5V0-2CH 5V 双通道ESD防护芯片低电容ESD防护芯片，保护高速接口。	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	样品申请
JS-TVS15K-33CA 33V 1500W 双向TVS芯片高浪涌能力瞬态抑制芯片，用于接口与电源浪涌防护。	—	—	—	—	—	—	双向	1500W	33V	—	样品申请
JS-TVS5K-12A 12V 500W 单向TVS芯片低压单向TVS芯片，适合消费电子端口保护。	—	—	—	—	—	—	单向	500W	12V	—	样品申请
JS-AVN1000H008-150A 1000V 雪崩整流芯片高雪崩能量整流芯片，提升系统浪涌耐受能力。	—	1000V	8A	—	—	—	—	—	—	—	样品申请
JS-WAFER-8-001 8英寸硅晶圆高纯度单晶硅晶圆，适用于功率器件制造。	—	—	—	—	8 inch	—	—	—	—		样品申请

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